Ученые научились стимулировать долговременную память

В исследовании приняли участие 12 человек, страдающих эпилепсией.

Ученые представили доказательства возможности создания имплантатов, способных стимулировать долговременную память, сообщает Nature.

Исследование проводилось по заказу Агентства перспективных оборонных разработок (DARPA) министерства обороны США. его результаты были представлены на конференции Общества нейробиологов в Чикаго.

За перевод кратковременной памяти в долговременную отвечает гиппокамп – парная структура головного мозга, расположенная в медиальных височных отделах полушарий.

 Она же отвечает за формирование кратковременной памяти на основе сенсорной информации и восприятие человеком времени и пространства.

Исследователи выяснили, что при консолидации памяти (перевод кратковременной памяти в долговременную) возникает сигнал, проходящий от участка CA3 гиппокампа в CA1.

Имитация этого сигнала позволит стимулировать долговременную память, включая пожилых людей и тех, кто перенес травму головы.

В исследовании приняли участие 12 человек, страдающих эпилепсией. Им установили мозговые электроды для записи электроэнцефалограммы мозга и стимуляции отдельных его зон.

Участникам эксперимента показывали различные изображения, а спустя полторы минуты просили вспомнить, какие из них они видели.

Во время показа изображений ученые записывали сигналы, проходящие между зонами CA3 и CA1.

На основе полученных данных ученые разработали алгоритм, способный предугадывать по активности зоны CA1 вид сигнала, который должен прийти из CA3. В 80 процентах случаев предугаданный исследователями сигнал оказался точным.

Впрочем, по словам ученых, данная область еще требует тщательного изучения и дополнительных экспериментов, поэтому говорить о результатах пока рано.

После проведения еще одного этапа тестов исследователи планируют разработать первый образец прибора, стимулирующий зоны гиппокампа, ответственные за консолидацию памяти.

Между тем, существует мнение, что одной лишь имитации сигнала, проходящего между CA3 и CA1, может быть недостаточно для стимуляции долговременной памяти в том случае, если имеется повреждение клеток зоны CA1.

Этот вопрос изучается по заказу DARPA в Университете Южной Калифорнии в Лос-Анджелесе. Работы ведутся по проекту создания приборов, способных стимулировать память солдат с повреждениями головы.

Программа DARPA по созданию имплантатов, стимулирующих долговременную память, стартовала в феврале 2014 года.

В ней принимают участие две группы исследователей. Университета Южной Калифорнии получил на проведение работ 15 миллионов долларов, а Университет Пенсильвании – 22,5 миллиона долларов.

Между тем, в июле ученые рассказали о пагубном влиянии смартфонов на память человека.

Источник