Вчені навчилися стимулювати довготривалу пам’ять

У дослідженні взяли участь 12 осіб, які страждають на епілепсію.

Вчені представили докази можливості створення імплантатів, здатних стимулювати довготривалу пам’ять, повідомляє Nature.

Дослідження проводилося на замовлення Агентства перспективних оборонних розробок (DARPA) міністерства оборони США. його результати були представлені на конференції Товариства нейробіологів в Чикаго.

За переклад короткочасної пам’яті в довготривалу відповідає гіпокамп – парна структура головного мозку, розташована в медіальних скроневих відділах півкуль.

Вона ж відповідає за формування короткочасної пам’яті на основі сенсорної інформації і сприйняття людиною часу і простору.

Дослідники з’ясували, що при консолідації пам’яті (переклад короткочасної пам’яті в довготривалу) виникає сигнал, що проходить від ділянки CA3 гіпокампу в CA1.

Імітація цього сигналу дозволить стимулювати довготривалу пам’ять, включаючи літніх людей і тих, хто переніс травму голови.

У дослідженні взяли участь 12 осіб, які страждають на епілепсію. Їм встановили мозкові електроди для запису електроенцефалограми мозку і стимуляції окремих його зон.

Учасникам експерименту показували різні зображення, а через півтори хвилини просили згадати, які з них вони бачили.

Під час показу зображень вчені записували сигнали, що проходять між зонами CA3 і CA1.

На основі отриманих даних вчені розробили алгоритм, здатний передбачати по активності зони CA1 вид сигналу, який повинен прийти з CA3. У 80 відсотках випадків предугаданный дослідниками сигнал виявився точним.

Втім, за словами вчених, ця область ще потребує ретельного вивчення і додаткових експериментів, тому говорити про результати поки рано.

Після проведення ще одного етапу тестів дослідники планують розробити перший зразок приладу, стимулюючий зони гіпокампу, відповідальні за консолідацію пам’яті.

Між тим, існує думка, що однією лише імітації сигналу, що проходить між CA3 і CA1, може бути недостатньо для стимуляції довготривалої пам’яті в тому випадку, якщо є ушкодження клітин зони CA1.

Це питання вивчається на замовлення DARPA в Університеті Південної Каліфорнії в Лос-Анджелесі. Роботи ведуться за проектом створення приладів, здатних стимулювати пам’ять солдатів з ушкодженнями голови.

Програма DARPA щодо створення імплантатів, стимулюючих довготривалу пам’ять, стартувала в лютому 2014 року.

У ній беруть участь дві групи дослідників. Університету Південної Каліфорнії отримав на проведення робіт 15 мільйонів доларів, а Університет Пенсільванії – 22,5 мільйона доларів.

Між тим, в липні вчені розповіли про згубний вплив смартфонів на пам’ять людини.

Источник